Samsung już na początku roku zapowiadał przesiadkę na proces technologiczny 30 nm w przypadku pamięci RAM. Uruchomienie produkcji podstawowych w tej chwili układów DDR3 w ramach nowej architektury, można uznać za spory krok do przodu choć daleko stąd do rewolucji na rynku.

Na razie wytwarzane będą moduły o pojemności 2 GB, zdolne pracować z taktowaniem 1866 MHz przy napięciu 1,35V, oraz 2133 MHz przy napięciu 1,5V. Do końca roku ma ruszyć produkcja identycznych układów, ale o większej pojemności 4 GB.

Skalowanie w dół procesu technologicznego pozwala tworzyć pamięci bardziej upakowane i energetycznie bardziej efektywne, a więc zdolne pracować w wyższych częstotliwościach przy niższym poborze prądu. Rzecz którą na pewno doceni każdy entuzjasta podkręcania.

Przynajmniej teoretycznie nowe układy są dedykowane dla rozwiązań serwerowych, ale bardzo szybko można spodziewać się inwazji 30 nm na rynek produktów przeznaczonych dla zwykłych konsumentów. Samsung dostarcza swoje moduły bardzo szerokiej gamie producentów, więc dość szybko powinny one wylądować w popularnych dwu i trzy kanałowych zestawach DDR3.

Oczywiście można się spodziewać, iż architektura 30 nm, dzięki znakomitym parametrom stosowanego napięcia do częstotliwości pracy, najszybciej trafi do drogich zestawów przeznaczonych dla wielbicieli grzebania i podkręcania. Dla zwykłego klienta większe znaczenie ma to, iż nowa technologia może wpłynąć na obniżenie cen pamięci DDR3 starszej generacji.

Świeży powiew nowości na pewno nikomu nie zaszkodzi.

_{Fot/Źródło: Samsung}